机译:使用200nm Gaassb脱位滤波缓冲液的INAS / GASB隧道二极管结构在INAS / GASB隧道二极管结构的异构整合
机译:一种新型高性能平面INAS / GASB面部隧道FET,具有植入漏极的漏流量减少
机译:高性能InAs / GaSb核壳纳米线线隧穿TFET:原子模式空间NEGF研究
机译:异质结和氧化物界面陷阱对InAs / Si和InAs / GaAsSb纳米线隧道FET性能的影响
机译:InAs / GaSb和基于InAs / InAsSb II型超晶格的红外器件的暗电流抑制,光学性能改进和高频操作
机译:垂直栅全能纳米线GaSb-InAs核壳n型隧道FET
机译:Si上的垂直Inas / Gaassb / Gasb隧道隧穿场效应晶体管与S = 48 mV /十年,I