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张正模;
无;
砷化铟; 电子束印刷; 离子束蚀刻; 纳米; 多层结构;
机译:InAS表面反转层和INAS / AlgASB量子孔的电子波干扰效应纳米级开放点使用AFM氧化制备
机译:硅衬底上用于高速电子应用的超高迁移率AlGaSb / InAs高电子迁移率晶体管结构的生长
机译:悬浮InAs / AlGaSb异质结构纳米束的压阻
机译:INAS / Algasb纳米结构中的弹道整流效应
机译:镧系元素掺杂无机纳米晶体的合成,表征和光谱学;上转换纳米晶体的辐射通量和绝对量子产率测量,以及使用综合优化的线性响应纳米闪烁体制作的光纤辐射探测器。
机译:GaAs环状纳米结构模板上的自组装InAs量子点形成
机译:演示InAs / AlGaSb / InAs单势垒异质结构中大的峰谷电流比
机译:用于高电子迁移率晶体管的Inalsb / Inas / alGasb量子阱异质结构。
机译:通孔兼容的InAs / AlGaSb HEMT的外延成核和缓冲序列
机译:半导体纳米异质结构In0.52Al0.48As / InXGa1-XAs C复合有源区In0.53Ga0.47As / InAs / In0.53Ga0.47As / InAs / In0.53Ga0.47As C两次插入InAs
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