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【24h】

Analysis of asymmetric property with DC bias current on thin-film magnetoimpedance element

机译:薄膜磁阻元件DC偏置电流的不对称性能分析

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摘要

We theoretically analyzed the magnetoimpedance profile of a thin-film element with a DC bias current using the bias susceptibility theory and Maxwell’s equations. Although the analysis model predicts that an element with a rectangular cross section shows symmetric impedance property with respect to the Z -axis with DC bias current, the experimental results showed asymmetric properties. Taking the shape imbalance and trapezoidal cross section of the element into account, we explained the asymmetric impedance properties qualitatively.
机译:理论上,使用偏置敏感性理论和麦克斯韦方程,理论地分析了具有DC偏置电流的薄膜元件的磁阻分布。尽管分析模型预测具有矩形横截面的元素,但是对于具有DC偏置电流的Z-XIS的对称阻抗特性,实验结果显示出不对称性质。考虑到元素的形状不平衡和梯形横截面,我们解释了定性的不对称阻抗特性。

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