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一种薄膜磁阻传感器元件及薄膜磁阻电桥

摘要

本发明涉及一种薄膜磁阻传感器元件,包括下电极、种子层、反铁磁钉扎层、磁性被钉扎层结构、非磁性隔离层、磁性自由层、保护层、上电极、偏磁层。本发明还涉及包含本发明的薄膜磁阻传感器元件的电桥。本发明的薄膜磁阻传感器元件及其组成的电桥的特点是:磁滞小,精度和线性度高,线性范围可调,工艺简单,响应频率高,成本低,抗干扰性强和温度特性好。

著录项

  • 公开/公告号CN102721427B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-05-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 宁波希磁电子科技有限公司;

    申请/专利号CN201210205391.1

  • 发明设计人 王建国;

    申请日2012-06-20

  • 分类号G01D5/12(20060101);G01R33/09(20060101);G01R17/00(20060101);

  • 代理机构33109 杭州杭诚专利事务所有限公司;

  • 代理人尉伟敏

  • 地址 315299 浙江省宁波市镇海区中官路1188号10栋2楼

  • 入库时间 2022-08-23 09:25:41

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-05-20

    授权

    授权

  • 2014-06-04

    专利申请权的转移 IPC(主分类):G01D 5/12 变更前: 变更后: 登记生效日:20140512 申请日:20120620

    专利申请权、专利权的转移

  • 2013-03-20

    专利申请权的转移 IPC(主分类):G01D 5/12 变更前: 变更后: 登记生效日:20130217 申请日:20120620

    专利申请权、专利权的转移

  • 2012-11-28

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01D 5/12 申请日:20120620

    实质审查的生效

  • 2012-10-10

    公开

    公开

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