机译:具有Taox的RRAM的垂直3D结构的侧壁电极氧化自定位切换区域
机译:通过使用优化的MOS2界面层控制电阻切换和顶部电极对陶昔的RRAM中抗坏血酸感测的作用
机译:基于TaOx的RRAM器件中的电极感应数模电阻切换
机译:通过超临界CO 2 sub>流体在铟锡氧化物电极上进行氢化物氧化来改善基于氧化硅的RRAM的电阻开关特性
机译:金属掺杂对基于TaOx的RRAM器件开关行为的影响
机译:氧化铜和非晶硅RRAM中丝状双极EPIR开关的详细研究。
机译:具有Taox的RRAM的垂直3D结构的侧壁电极氧化自定位切换区域
机译:具有垂直侧壁电极的介电电泳切换,用于微流体流式细胞仪
机译:原子层沉积(aLD) - 沉积二氧化钛(TiO2)厚度对Zr40Cu35al15Ni10(ZCaN)/ TiO2 /铟(In)基电阻随机存取存储器(RRam)结构性能的影响。