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机译:所存储电荷的电荷扩散对SONOS NAND闪存设备中保留特性的影响
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机译:一种新的随机电报信号方法,用于研究SONOS闪存中的程序/擦除电荷横向扩展和保留损耗
机译:具有高k电介质和高功函数金属门的基于氮化物的电荷陷阱存储器件的数据保留特性,用于多千兆位闪存
机译:一种新颖的双通道3D NAND闪存,具有N通道和P通道NAND特性,可进行位更改的闪存,并提供了一种在WL空间中感测存储电荷的新机会
机译:SONOS非易失性存储设备中的均匀和局部电荷陷阱。
机译:SONOS闪存中氮化物内电荷迁移抑制的研究
机译:循环诱导的Intercell捕获电荷对3-D NAND闪存中的保留电荷损耗的影响
机译:在以下问题中:某些探针卡组件,其组件以及某些经过测试的DRam和NaND闪存设备以及包含它们的产品。第337-Ta-621号调查