机译:表面条件对Si(111)-(√7×√3)-In超导性的影响
机译:GaSb / Si(111)-√3×√3-Ga表面相上InGaSb层异质外延膜上InSb沟道层的生长特性
机译:用音叉原子力显微镜对Si(111)√3×√3-Ag进行动态力显微镜研究
机译:Ag-Si(111)√3×√3上PTCDA动态力谱中的能量耗散
机译:沉积温度和退火条件对低温TSV衬里形成臭氧-乙烯自由基生成-TEOS-CVD SiO
机译:两种自由基的动力学研究:酰胺基自由基和烯丙基自由基:(0,9,0)和(0,8,0)谱带中的酰胺基自由基(A2A1)发射寿命以及二氧化氮,甲基自由基和烯丙基的烯丙基自由基反应基。
机译:Si(111)表面上基于醇的双官能炔烃的热和紫外氢化硅烷化:表面自由基如何影响表面键的形成
机译:PB / Si(111)表面上的(1×1)和(1×1)和(√3×3)相的非接触原子力显微镜检查
机译:衬底温度对(si)(111)表面上的((自由基)(ovr 3)(次)(自由基)(ovr 3))R30(度)畴生长的影响。