机译:碳相关缺陷作为无意掺杂GaN增强黄色发光的来源
unintentionally doped GaNyellow luminescence bandcarbon impurity;
机译:生长的高电阻GaN和无意掺杂GaN膜中黄色发光的不同来源
机译:N极无意识掺杂GaN的黄色发光强度研究
机译:N极无意识掺杂GaN的黄色发光强度研究
机译:Si-掺杂GaN的发光性质和补偿缺陷作为黄色发光的原点的证据
机译:GaN中点缺陷的时间分辨光致发光研究。
机译:碳相关缺陷作为无意掺杂GaN增强黄色发光的来源
机译:碳相关缺陷作为增强无意掺杂GaN的黄色发光的源头