首页> 外文期刊>ETRI journal >Nanogap Array Fabrication Using Doubly Clamped Freestanding Silicon Nanowires and Angle Evaporations
【24h】

Nanogap Array Fabrication Using Doubly Clamped Freestanding Silicon Nanowires and Angle Evaporations

机译:使用双钳位的独立式硅纳米线和角蒸发技术制备纳米间隙阵列

获取原文
       

摘要

We present a simple semiconductor process to fabricate nanogap arrays for application in molecular electronics and nano-bio electronics using a combination of freestanding silicon nanowires and angle evaporation. The gap distance is modulated using the height of the silicon dioxide, the width of the Si nanowires, and the evaporation angle. In addition, we fabricate and apply the nanogap arrays in single-electron transistors using DNA-linked Au nanoparticles for the detection of DNA hybridization.
机译:我们提出一种简单的半导体工艺,以结合独立的硅纳米线和角度蒸发技术,制造用于分子电子学和纳米生物电子学的纳米间隙阵列。使用二氧化硅的高度,Si纳米线的宽度和蒸发角度来调节间隙距离。此外,我们使用DNA连接的Au纳米粒子在单电子晶体管中制造和应用纳米间隙阵列,以检测DNA杂交。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号