机译:在集成电路的制造中沉积包含二氧化硅的层的方法,在集成电路的制造中形成沟槽隔离的方法,在集成电路制造中的沉积包括二氧化硅的层的方法以及在其上形成位线的方法存储单元的电容器阵列
公开/公告号US7470635B2
专利类型
公开/公告日2008-12-30
原文格式PDF
申请/专利权人 WEIMIN LI;GURTEJ S. SANDHU;
申请/专利号US20060378825
申请日2006-03-17
分类号H01L21/31;H01L21/469;
国家 US
入库时间 2022-08-21 19:28:57