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Analytic input matching for millimeter wave LNA in 90nm CMOS technology

机译:90nm CMOS技术中毫米波LNA的解析输入匹配

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摘要

References(6) An analytic input matching technique for low noise amplifiers (LNA) has been presented. This method has been developed to design of cascode LNA for millimeter wave applications in modern CMOS technologies. Unlike the conventional analytic matching [1], the accurate transistor model used in our analysis, leads to acceptable accuracy in this frequency range. The analysis results have been used in design of a 30GHz LNA for STMicroelectronics 90nm digital CMOS process. Simulation in foundry design kit shows excellent accuracy of proposed method in comparison with the conventional method. The designed LNA have 10dB power gain with 5mW DC power consumption.
机译:参考文献(6)提出了一种用于低噪声放大器(LNA)的解析输入匹配技术。已经开发出这种方法来设计用于现代CMOS技术中毫米波应用的级联LNA。与传统的分析匹配[1]不同,我们在分析中使用的精确晶体管模型可以在该频率范围内获得可接受的精度。分析结果已用于STMicroelectronics 90nm数字CMOS工艺的30GHz LNA设计中。与传统方法相比,铸造设计套件中的仿真显示了所提出方法的出色准确性。设计的LNA具有10dB的功率增益和5mW的DC功耗。

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