首页> 外文学位 >A Broadband Millimeter Wave LNA in 65nm CMOS Technology with Minimized Gain and Noise Variations
【24h】

A Broadband Millimeter Wave LNA in 65nm CMOS Technology with Minimized Gain and Noise Variations

机译:采用65nm CMOS技术的宽带毫米波LNA,具有最小的增益和噪声变化

获取原文
获取原文并翻译 | 示例

著录项

  • 作者

    Dadnam, Fariborz;

  • 作者单位

    University of California Los Angeles;

  • 授予单位 University of California Los Angeles;
  • 学科
  • 学位 M.S.
  • 年度 2013
  • 页码 49 p.
  • 总页数 49
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号