University of California Los Angeles;
机译:纳米CMOS技术的低相位噪声变化的宽带增益线性化微波压控振荡器
机译:3-5 GHz Multifinger CMOS LNA使用同时噪声和阻抗匹配技术,通过大大降低金属氧化物半导体场效应晶体管的宽带阻抗变化
机译:90nm CMOS技术中毫米波LNA的解析输入匹配
机译:使用65nm CMOS技术设计用于5G蜂窝的60GHz宽带LNA
机译:65nm RF CMOS中毫米波倍频器的设计与实现。
机译:宽带可调集成CMOS脉冲发生器最小脉冲宽度为80ps用于增益转换半导体激光器
机译:基于P-I-N二极管的毫米波雪崩噪声源130 nm SiGe BICMOS技术:设备表征和CAD建模