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机译:氟化栅电介质AlGaN / GaN MIS-HEMT的特性
机译:氟化石墨烯绝缘子对AlGaN / GaN MIS-HEMTS作为栅极电介质的影响
机译:E模式AlGaN / GaN功率MIS-HEMT的Al2O3栅极电介质中多个氟化阱的高温研究
机译:具有原位Si_3N_4 / Al_2O_3双层栅极电介质的AlGaN / GaN MIS-HEMT上正栅极偏置后的缓慢去陷阱现象分析
机译:AlGaN / GaN MIS-HEMT栅极电介质特征分析
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:面向增强模式特性的具有双AlGaN势垒设计的嵌入式栅AlGaN / GaN MIS-HEMT研究
机译:AlGaN / GaN MIS-HEMT与PECVD SINX,SION,SIO2作为栅极电介质和钝化层