机译:激光诱导的Mg掺杂GaN的局部激活具有高横向分辨率,适用于大功率垂直器件
机译:在沟槽型GaN薄膜上的Mg掺杂GaN的横向和垂直生长
机译:MOCVD重新设计P-GAN的特征及垂直GAN电力装置的界面性质
机译:用于垂直P-N功率器件的生长和再生GaN-On-GaN结构的特征
机译:具有对称垂直泄漏的GaN-on-Si横向功率器件:浮动衬底的影响
机译:GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征= GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征
机译:基于纳米多孔GaN和CoPc p–n垂直异质结的高性能自供电紫外光电探测器
机译:激光诱导的局部激活Mg掺杂GaN,具有高功率垂直装置的高横向分辨率
机译:siC离散功率器件 - 平面6H-siCaCCUFET的分析和优化;平面横向沟道siC垂直高功率JFET;平面横向通道mEsFET-a新型siC垂直功率器件;通过热壁化学气相沉积Chara生长