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机译:应变和尺寸对纳米级全耗尽应变SOI TFET阈值电压的影响
机译:应变和尺寸对纳米级全耗尽应变SOI TFET阈值电压的影响
机译:带有电感应S / D扩展的纳米级全耗尽SOI MOSFET的二维分析阈值电压模型
机译:包含量子力学效应的纳米级应变Si / Si_(1-x)Ge_x MOSFET的二维分析阈值电压模型
机译:具有高k栅极氧化物的纳米级全耗尽应变SOI MOSFET的分析表面电势和阈值电压模型
机译:应变对硅CMOS晶体管的影响:阈值电压,栅极隧穿电流和1 / f噪声特性。
机译:硬X射线偏振器可实现磁性结构和晶格应变的同时三维纳米成像
机译:应变与尺寸效应纳米级完全耗尽的应变-SIE TFET的阈值电压