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【24h】

Sinteriza??o de filmes finos de LiNbO3 em forno microondas: estudo da influência da dire??o do fluxo de calor

机译:LiNbO3薄膜在微波炉中的烧结:热流方向的影响研究

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摘要

Filmes finos de LiNbO3 foram preparados pelo método dos precursores poliméricos e depositados por "spin coating" sobre substratos de safira (0001). Os filmes foram tratados em forno microondas doméstico a 400 oC por 15 e 20 min. Um material com alta perda dielétrica (susceptor de SiC) foi usado para absorver energia das microondas e transformá-la em calor. Este calor foi transferido para o filme a fim de promover a sua cristaliza??o. O susceptor foi posicionado acima do filme ou embaixo do substrato. Desta forma, a influência da dire??o do fluxo de calor na cristaliza??o das amostras foi verificada. Os filmes foram caracterizados por difra??o de raios X, microscopia de for?a at?mica e espectrofotometria (transmitancia) na regi?o UV-visível e o índice de refra??o foi determinado por elipsometria. O crescimento epitaxial foi observado para o filme com susceptor posicionado embaixo do substrato. Verificou-se que os gr?os apresentaram crescimento aleatório quando o susceptor foi posicionado acima do filme. Os filmes apresentaram-se relativamente densos, homogêneos e lisos, com boas propriedades ópticas.
机译:使用聚合物前体方法制备LiNbO3薄膜,并通过旋涂将其沉积在蓝宝石衬底上(0001)。将薄膜在家用微波炉中于400 oC处理15和20分钟。具有高介电损耗的材料(SiC基座)用于吸收微波能量并将其转化为热量。热量转移到薄膜上以促进其结晶。基座位于薄膜上方或基板下方。以此方式,验证了热流方向对样品结晶的影响。通过X射线衍射,原子力显微镜和紫外可见区的分光光度法(透射率)对膜进行表征,并通过椭圆偏振法测定折射率。在基座位于基板下方的情况下,观察到薄膜的外延生长。发现当基座位于膜上方时,晶粒显示出随机生长。薄膜相对致密,均匀且光滑,具有良好的光学性能。

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