Alternative Zu Sic

摘要

Hersteller von Leistungshalbleitern wollenrnschon länger vom Silizium wegkommenrnund suchen vor allem nach Materialien mitrngroßer Bandlücke. Ein neuer Gallium-rnnitrid-Prozess arbeitet mit normalen Silizium-rnwafern und bietet gegenüber Siliziumkarbidrneine Reihe von Vorteilen.rnAuf Galliumnitrid (GaN) basiert eine neue Prozessplatt-form für Leistungshalbleiter namens »GaNpowIR«, an der International Rectifier (IR) fünf Jahre lang geforscht und entwickelt hat. Ende 2009 sollen die ersten MOSFETs und Dioden für 100 V und 200 V Sperrspannung in Produktionsstückzahlen zur Verfügung stehen, im weiteren Verlauf folgen Bausteine für 600 V. Zurzeit werden Prototypen zusammen mit ausgewählten Kunden getestet. IR plant, zu allen bestehenden Produktgruppen zwischen 20 V und 1200 V Sperrspannung Alternativbauteile aufrnGaN-Basis herzustellen.