Der Integrated-Driver-MOS-FET »R2J20651NP« von Rene-sas kommt im 6 mm × 6 mm großen QFN40-Gehäuse und ist für die Stromversorgung von CPUs und DDR-SDRAMs in PCs und Servern vorgesehen. Er soll 96,5% Wirkungsgrad bei V_(in) = 5 V und V_(out) = 1,8 V erreichen. Das Bauteil entspricht denrnDrMOS-Spezifikationen (Revision 3.0) von Intel und fasst zwei High-Side/Low-Side-MOS-FETs und eine Treiberschaltung in einem Gehäuse zusammen. Eine Temperaturwächterfunktion gibt ein Übertemperatur-signai aus, sobald die Temperatur des Treibers den Grenzwert von +1 30 ℃ übersteigt.
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