DESIGN&ELEKTRONIK: Herr Lowe, seit Ende September 2017 sind Sie CEO von Cree. Was ist Ihre Mission? Gregg Lowe: Mit unserer Siliziumkarbid- und Galliumnitrid-Technologie haben wir eine Chance, die Leistungselektronik dramatisch zu verändern. Von hoher Warte aus betrachtet ist es unsere Vision, mit Siliziumkarbid in Bezug auf Silizium das Gleiche zu erreichen, was vor 30 Jahren CMOS in Bezug auf die Bipolar getan hat. Wir wollen die Leistungselektronikbranche von Silizium auf Siliziumkarbid umstellen. Wir haben nun den Zeitpunkt erreicht, an dem sich der Einzug von Siliziumkarbid -getrieben vor allem von Elektrofahrzeugen, erneuerbaren Energien wie Photovoltaik sowie 4G- und 5G-Basisstationen - stark beschleunigt. Ich finde, wir leben in besonders interessanten Zeiten für die Leistungselektronik, besonders wenn man sich in Siliziumkarbid befindet.
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