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机译:当前使SRAM单元饿死的策略:提高单元稳定性和功耗的策略
Silicon Inst Technol, Dept Appl Elect & Instrumentat, Bhubaneswar 751024, Orissa, India;
Natl Inst Technol, Dept Elect & Commun Engn, Rourkela 769008, India;
Natl Inst Technol, Dept Elect & Commun Engn, Rourkela 769008, India;
Read and retention SNM; WNM; Process variation; Current starving; FinFET; Short circuit current;
机译:具有可变性的FinFET SRAM单元具有更高的稳定性和功率,适合低功耗应用
机译:用于低功耗的单位线11T SRAM单元,稳定性提高
机译:具有改善稳定性的低待机电源快速碳纳米管三元SRAM SRAM细胞
机译:使用45NM CMOS技术的低功耗6T SRAM单元和基于忆阻器的SRAM单元的稳定性和性能分析
机译:用于高速缓存设计的低功耗SRAM单元和体系结构。
机译:功耗优化的变化感知双阈值SRAM单元设计技术
机译:45nm CMOS技术中6T,NC,不对称,PP和P3SRAM位拓扑中的功率和稳定性分析