机译:2.45 GHz 20 dBm快速开关E类功率放大器,PAE为43%,功率范围为18dB,在0.18- CMOS中
机译:具有0.25Mm CMOS中41%PAE的共栅开关0.9W E类功率放大器
机译:在180 nm CMOS工艺中具有532 mW / mm 2 sup>功率面积密度的5.3 GHz 42%PAE E类功率放大器
机译:在0.18μmCMOS中使用差分传输线变压器的K波段24.1%PAE宽带单边CMOS功率放大器
机译:一个0.9GHz完全集成的45%PAE类-E功率放大器,用于LORA应用的0.18-μmCMOS工艺
机译:批量CMOS中经过优化的E类RF功率放大器设计。
机译:具有包络跟踪射频功率放大器的具有可编程阶环控制器的全数字快速跟踪开关转换器
机译:一种改进的CmOs E类功率放大器功率控制方法
机译:18 GHz,10.9 dBm全集成功率放大器,130 nm CmOs中具有23.5%paE