机译:基于2 GHz FBAR的变压器耦合振荡器设计,具有降低相位噪声的功能
Intel Corp, RFIC Grp, Hillsboro, OR 97124 USA;
Southeast Univ, Sch Informat Sci & Engn, Nanjing 210096, Jiangsu, Peoples R China;
Broadcom Ltd, Dept FBAR & Orthogonal Markets, San Jose, CA 95131 USA;
Univ Washington, Dept Elect Engn, Seattle, WA 98195 USA;
Oscillator; FBAR; phase noise; transformer; reference clock;
机译:基于2-GHz FBAR的变压器耦合振荡器设计,相位降噪
机译:一个非常低的相位噪声变压器耦合振荡器和PLL,用于0.12 MU M SiGe Bicmos的5G通信
机译:使用新型尾电流噪声二次谐波滤波技术降低CMOS LC交叉耦合振荡器的相位噪声
机译:一个350uW 2GHz FBAR变压器耦合的Colpitts振荡器,具有近相位降噪功能
机译:压控振荡器相位降噪技术
机译:起搏器网络中耦合强度和固有频率的空间噪声;根据弱耦合相位振荡器模型发展肠道运动模式的后果
机译:微机械振荡器中的同步和相位噪声降低 阵列通过光耦合