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Investigations of mutual thermal coupling between SiC Schottky diodes situated in the common case

机译:常见情况下SiC肖特基二极管之间的互热耦合研究

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摘要

Purpose -This paper aims to present the results of measurements and calculations illustrating mutual thermal coupling between power Schottky diodes made of silicon carbide situated in the common case.
机译:目的-本文旨在提供测量和计算结果,以说明常见情况下由碳化硅制成的功率肖特基二极管之间的相互热耦合。

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