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机译:大剂量N + sup>离子注入† sup>在Si(111)衬底上GaN的外延横向过生长
Department of Materials Science and Engineering, Korea University 5 Anam-dong, Seongbuk-gu, Seoul 136-713 (Korea);
LED device team, Korea Photonics Technology Institute 5 Cheomdan 4-gil, Buk-gu, Kwangjoo 500-779 (Korea);
Engineering Frontier Project, Korea Atomic Energy Research Institute 150-1 Deokjin-Dong 1045 Daedeokdaero, Yuseong, Daejeon 305-353 (Korea);
Epitaxial lateral overgrowth; Gallium nitride; Ion implantation; MOCVD;
机译:使用大剂量Nt离子注入在Si(111)衬底上GaN的外延横向过生长**
机译:氮化硅掩膜在选定区域Si(111)衬底上GaN的外延横向过生长
机译:纳米横向外延过度生长在Si(111)上生长的GaN中位错密度的数量级降低
机译:金属机气相外延(111)Si谱系的选择性区域生长(SAG)和外延横向过度生长(ELO)通过金属蒸汽相外延
机译:利用外延横向过生长来增加电压的薄硅太阳能电池的设计,制造和分析
机译:通过自对准双倍外延横向过生长制造的电驱动高效的基于GaN的三维GaN发光二极管
机译:SiC和蓝宝石基板上的GaN的外延横向过度生长
机译:硅衬底上氮化镓(GaN)薄膜的大面积外延过量生长(LEO)及其表征