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机译:用表面化学改造设计低成本和高性能薄膜晶体管ZnO薄膜的可控掺杂和钝化
Korea Univ Dept Semicond Syst Engn Seoul 02841 South Korea;
Korea Univ Dept Mat Sci & Engn Seoul 02841 South Korea;
Korea Univ Dept Semicond Syst Engn Seoul 02841 South Korea;
Korea Inst Geosci & Mineral Resources Mineral Utilizat Convergence Res Ctr Daejeon 305350 South Korea;
Korea Inst Geosci & Mineral Resources Mineral Utilizat Convergence Res Ctr Daejeon 305350 South Korea;
Korea Univ Dept Mat Sci & Engn Seoul 02841 South Korea;
Sol-gel; Thin film; Surface passivation; Controllable doping; Characterization transition;
机译:通过控制ZnO薄膜生长的Vl / ll比并使用改良的薄膜晶体管层结构来改善金属有机化学气相沉积生长的ZnO薄膜晶体管的特性
机译:2 wt。%Al_2O_3掺杂的ZnO薄膜的光电性能以及具有超薄栅极绝缘体的Al掺杂的ZnO薄膜晶体管的特性
机译:锂掺杂对高性能薄膜晶体管溶液加工ZnO膜结构和电性能的影响
机译:薄膜晶体管(TFT)应用的纳米结构铝掺杂氧化锌(ZnO)薄膜的光学性能
机译:使用不平衡磁控溅射制造适用于薄膜晶体管的掺镓ZNO薄膜。
机译:高性能热氧化金属氧化物场效应晶体管的喷雾热解透明ZnO薄膜沉积
机译:氧化锌缺陷微观结构和表面化学来自金属锌的氧化:薄膜晶体管和ZnO膜和杆的传感器行为