掺杂的GaSnO和InZnO薄膜晶体管的研制

目录

声明

致谢

1 引言

1.1 薄膜晶体管的应用

1.2 薄膜晶体管的发展历程

1.3 金属氧化物薄膜晶体管的研究进展

1.4 金属氧化物薄膜晶体管需要解决的问题

（1）高迁移率金属氧化物薄膜晶体管的研究

（2）高稳定性金属氧化物薄膜晶体管的研究

1.5 本文的选题意义与研究内容

2 AGTO 薄膜晶体管的制备及其性能研究

2.1 引言

2.2 AGTO薄膜晶体管的制备

2.3 有源层厚度对 AGTO薄膜晶体管性能的影响

2.4 退火温度对 AGTO薄膜晶体管性能的影响

2.5 本章总结

3 InZnO:(Li,N)薄膜晶体管的制备及其性能研究

3.1 引言

3.2 InZnO:(Li,N)薄膜晶体管的制备

3.3 溅射中氧气流量对 InZnO:(Li,N)薄膜晶体管性能的影响

3.4 有源层厚度对 InZnO:(Li,N)薄膜晶体管性能的影响

3.5 退火温度对 InZnO:(Li,N)薄膜晶体管性能的影响

3.6 InZnO:(Li,N)薄膜晶体管的偏压稳定性研究

3.7 光照对 InZnO:(Li,N)薄膜晶体管偏压稳定性的影响

3.8 本章总结

4 InZnO:(Al,N)薄膜晶体管的制备及其性能研究

4.1 引言

4.2 InZnO:(Al,N)薄膜晶体管的制备

4.3 退火温度对 InZnO:(Al,N)薄膜晶体管性能的影响

4.4 有源层厚度对 InZnO:(Al,N)薄膜晶体管性能的影响

4.5 溅射中氧气流量对 InZnO:(Al,N)薄膜晶体管性能的影响

4.6 退火气氛对 InZnO:(Al,N)薄膜晶体管性能的影响

4.7 InZnO:(Al,N)薄膜晶体管的环境稳定性研究

4.8 InZnO:(Al,N)薄膜晶体管的偏压稳定性研究

4.9 本章总结

5 InZnO:(Li,N)/InZnO:(Al,N)双有源层TFT的制备及其性能研究

5.1 引言

5.2 InZnO:(Li,N)/InZnO:(Al,N)薄膜晶体管的制备

5.3 不同 InZnO:(Li,N)薄膜厚度对 InZnO:(Li,N)/InZnO:(Al,N) TFTs性能的影响

5.4 不同 InZnO:(Al,N)薄膜厚度对 InZnO:(Li,N)/InZnO:(Al,N) TFTs性能的影响

5.5 InZnO:(Li,N)/InZnO:(Al,N) TFT性能与单层 TFT的性能比较

5.6 InZnO:(Li,N)/InZnO:(Al,N)薄膜晶体管的偏压稳定性研究

5.7 本章总结

6 结论

参考文献

作者简历及攻读博士学位期间取得的研究成果

独创性声明

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