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机译:叔丁基ar氨酸无损伤薄膜掺杂和基底释放的水平Si纳米线的保形表面覆盖
Univ Coll Cork Tyndall Natl Inst Cork Ireland;
Univ Coll Cork Sch Chem Cork Ireland;
Appl Mat Inc Cork Ireland;
Appl Mat Inc Gloucester MA USA;
Cork Inst Technol Cork Ireland;
Univ Coll Cork Tyndall Natl Inst Cork Ireland|Univ Coll Cork Sch Chem Cork Ireland;
Semiconductors; Surface Coverage; Conformality; Nanowires; Doping;
机译:走向具有超浅结突变的共形无损掺杂:Si单层的形成和激光退火作为InGaAs nMOSFET的新型掺杂技术
机译:具有硼氮化硼(BN)分子的半导体纳米线表面的非共形装饰,用于稳定性增强:抗降解Zn3P2,ZnO和Mg2Si纳米线
机译:叔丁基ar为Ⅴ族前体的金催化MOVPE生长的GaAs纳米线
机译:高性能n-MOS finFET,无损伤,共形扩展掺杂
机译:在低温CVD中控制反应表面以增强成核作用和保形覆盖。
机译:铟掺杂的ZnO纳米线生长方向不频繁表面粗糙且表面陷阱低
机译:Si的低温集合原子层蚀刻具有无损伤表面的下一代原子级电子器件