机译:叔丁基ar为Ⅴ族前体的金催化MOVPE生长的GaAs纳米线
CNISM, and Dipartimento di Ingegneria dell'Innovazione, Universita di Lecce, Via Arnesano, I-73100 Lecce, Italy;
A1. Nanostructures; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A2. Self-assembly; B1. Nanowires; B2. Semiconducting gallium arsenide;
机译:叔丁基ar通过Movpe生长的Gaas /藻类核壳纳米线的发光
机译:金属有机气相外延生长使用叔丁基ar的GaAs纳米线的尺寸和形状控制
机译:MOVPE生长的Sn种子GaAs纳米线
机译:MOVPE使用N / sub 2 /载气和二甲基肼,叔丁基butyl啶作为V组前体的高质量InGaAsN生长
机译:通过分子束外延生长的GaAs / Gaassb(N)核心壳纳米线的带隙调谐
机译:Si(100)和Si(111)衬底生长的GaAs / AlGaAs核壳纳米线中光生载流子的动力学
机译:通过mOVpE生长的Gaas / Gasb纳米线异质结构