...
机译:通过中间镍纳米膜可剥离的SiC-SiC晶片键合
Univ Tokyo, Dept Precis Engn, Tokyo 1138656, Japan;
Tohoku Univ, Res Inst Elect Commun, Sendai, Miyagi 9808577, Japan;
Tohoku Univ, Res Inst Elect Commun, Sendai, Miyagi 9808577, Japan;
Chinese Acad Sci, Inst Microelect, Beijing 100029, Peoples R China;
Fuji Elect Co Ltd, Matsumoto, Nagano 3900821, Japan;
Fuji Elect Co Ltd, Matsumoto, Nagano 3900821, Japan;
Fuji Elect Co Ltd, Matsumoto, Nagano 3900821, Japan;
Univ Tokyo, Dept Precis Engn, Tokyo 1138656, Japan;
Univ Tokyo, Dept Precis Engn, Tokyo 1138656, Japan;
Wafer bonding; De-bonding; Bonding interface; Rapid thermal annealing; Precipitated carbon; Thin SiC device;
机译:硅/玻璃晶圆间键合以及Ti / Ni中间键合
机译:硅/玻璃晶圆间键合以及Ti / Ni中间键合
机译:比较研究:SiC-SiC通过标准表面活化粘合的直接晶片键合,并用含Si的Ar离子束改性表面活化键合
机译:SiC-SiC和SiC-Si的晶片键合改性表面活化键合法
机译:通过渗透镍纳米粒子和混合离子电子导体改善固体氧化物燃料电池的Ni-YSZ金属陶瓷阳极的中间温度性能
机译:金膜厚度和表面粗糙度对室温晶圆键合和金-金表面活化键合的晶圆级真空密封的影响
机译:将Ti溅射涂覆的碳气凝胶晶片到Ni箔的共晶键合
机译:Ti溅射涂覆的碳气凝胶晶片与Ni箔的共晶结合