晶片键合技术实现器件新发展

摘要

正硅基上生长III-V族材料是一种常见的材料集成方式。该领域已经实现了一些突破,但该项技术仍存在一些缺陷,如:生长界面缺陷密度过高;化合物半导体沉积速率不够快;外延设备购置成本过高等。基于不同材料可在等离子体激活条件下直接键合这一方式,可以解决以上诸多困难。与传统外延生长技术相比,该项技术使得器件设计和流程实现更为自由,而近阶段广泛的应用实例也证实大部分的化合物半导体能够直接与不同衬底键合。