机译:氰化物处理可钝化半导体表面和界面
Osaka Univ, Inst Sci & Ind Res, Osaka 5670047, Japan;
defect states; Si; interface states; silico oxide; cyanide treatment; MOS; solar cells; Cu2O; RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY; THERMALLY OXIDIZED SILICON; INDUCED DEFECT DENSITY; JUNCTION SOLAR-CELLS; CU2O THIN-FILMS; SI/SIO2 INTERFACE; BAND-GAP; AMORPHOUS-SILICON; SCHOTTKY-BARRIER; SI-H;
机译:通过氰化物处理钝化Si和Si / SiO_2界面态中的缺陷态:改善了针结非晶硅和晶体硅基金属氧化物半导体结太阳能电池的特性
机译:半导体/电解质界面处的钝化:吸附剂溶剂化和反应性在II-v半导体表面原子和电子结构改性中的作用
机译:II-v半导体纳米电子学中用于表面钝化和界面控制的界面模型和处理技术
机译:液态水中热处理对结晶硅的表面钝化及其在改善金属氧化物半导体结构的界面性质中的应用
机译:化合物半导体表面和界面的化学和电子结构。
机译:时间分辨光致发光测量中具有不同表面处理的薄膜半导体的体相和表面复合特性
机译:半导体的钝化技术。通过新型界面控制技术的化合物半导体的表面钝化及其在量子结构中的应用。