机译:II-v半导体纳米电子学中用于表面钝化和界面控制的界面模型和处理技术
Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE) and Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University, N-13, W-8, Kita-ku, Sapporo 060-8628, Japan;
compound semiconductors; surface passivation; band alignment; fermi level pinning; interface states;
机译:半导体/电解质界面处的钝化:吸附剂溶剂化和反应性在II-v半导体表面原子和电子结构改性中的作用
机译:反向非平衡分子动力学表明,表面钝化控制着半导体-溶剂界面的热传输
机译:用电解质解决方案接口III-V半导体表面的原子和电子结构改造(综述)
机译:利用硅界面控制层的III-V族化合物半导体的新型表面钝化结构及其应用
机译:通过金属有机气相外延生长的III-V族化合物半导体的表面和界面结构形成。
机译:使用凹角纳米结构控制和建模III-V半导体表面的润湿特性
机译:半导体的钝化技术。通过新型界面控制技术的化合物半导体的表面钝化及其在量子结构中的应用。