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机译:样品表面电阻率变化对砷的超浅SIMS剖面的影响
IRST, ITC, Ctr Ric Sci & Tecnol, I-38050 Trento, Italy;
SIMS; arsenic; matrix effect; energy distribution; ION MASS-SPECTROMETRY; SILICON; DEPTH; LAYERS;
机译:通过SIMS深度剖析改善浅砷分布的近表面表征
机译:具有方波表面轮廓的1D固体衬底上固体2D相生长的蒙特卡罗模拟。孔设计和沉积颗粒表面扩散的影响
机译:通过表面增强的激光解吸/电离飞行时间质谱(SELDI-TOF MS)评估样品储存时间对血清蛋白谱的影响。
机译:超浅硼和砷离子在不同温度下注入硅的过程中产生的损伤和掺杂分布,其特征为中能离子散射
机译:沿暴露在海水中的桥桩上飞溅区的混凝土表面电阻率曲线。
机译:联合评估掠入射X射线荧光和X射线反射率数据以改善超浅深度分布的轮廓
机译:通过表面增强激光解吸/电离飞行时间质谱(sELDI-TOF ms)评估样品储存时间对血清蛋白质谱的影响
机译:溅射引发的共振电离光谱:半导体中杂质和超浅掺杂分布的定量和灵敏测量的分析技术