机译:铁电材料应用中PLT和PZT缓冲层对PZT薄膜的影响比较
Yonsei Univ, Dept Elect & Elect Engn, Seoul 120749, South Korea;
PZT thin films; buffer layers; ferroelectric characteristics; NONVOLATILE MEMORIES; TITANATE; CAPACITORS; FATIGUE;
机译:由于不同的缓冲层,PZT(55/45)和PZT(80-20)薄膜的晶体结构,微结构和铁电性能
机译:具有La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3缓冲层的不锈钢衬底上沉积的(100)取向PZT薄膜的铁电性能得到改善
机译:PbZr_0.58Ti_0.42O_3 / Bi_3.25La_0.75Ti_3O_12(PZT / BLT)多层铁电薄膜中Bi_3.25La_0.75Ti_3O_12缓冲层的厚度效应
机译:BAPBO3缓冲层对PZT薄膜铁电特性的厚度效应
机译:CSD制备的PZT膜的压电和铁电性质及其应用
机译:溶胶-凝胶法制备的PZT / BFO多层薄膜的铁电性能
机译:pZT薄膜结构,介电和铁电参数优化优化pZT薄膜的结构,介电和铁电参数