机译:高迁移率的W掺杂In_2o_3薄膜:生长温度和氧气压力对结构,电和光学性质的影响
Department of Physics, Astronomy, and Materials Science, Missouri State University, Springfield, MO 65X97, USA;
semiconductor; electrical properties; thin films; indium oxide; tungsten; optical materials and properties;
机译:温度对脉冲激光沉积W掺杂V_2O_5薄膜的结构,光学和电学性质的影响
机译:生长和真空后退火对Sn-掺杂IN_2O_3薄膜的结构,电气和光学性质的影响
机译:生长温度和氧分压对脉冲激光沉积La_(1-x)Sr_xnO_(3-δ)薄膜的结构和电性能的影响
机译:高迁移率的电气和光学性质W-掺杂IN_2O_3薄膜
机译:通过常压金属有机化学气相沉积法沉积的氮化铝薄膜的电,结构和光学性质。
机译:等离子体增强原子层沉积在低温下沉积的HfO2薄膜的结构光学和电学性质
机译:氧气/氩气压力比对室温下沉积的ITO薄膜的形貌,光学和电学性质的影响