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机译:平面电感耦合等离子体中InAs的蚀刻和氧化
Institute of Semiconductor Physics SB RAS, Lavrentiev av. 13, Novosibirsk 630090, Russia;
Institute of Semiconductor Physics SB RAS, Lavrentiev av. 13, Novosibirsk 630090, Russia;
etching; InAs; inductively coupled plasma; semiconductor;
机译:BCl_3 / Cl_2 / Ar中InAs / InSb的室温感应耦合等离子体刻蚀
机译:InAs_(0.45)P_(0.55)/ InP应变多量子阱通过电感耦合等离子体蚀刻混合
机译:在BCl3 / Cl2电感耦合等离子体中快速平滑地蚀刻铟锡氧化物
机译:平面电感耦合等离子体中InAs蚀刻的XPS研究
机译:在感应耦合等离子体反应器中研究碳氟化合物沉积和蚀刻对硅和二氧化硅蚀刻工艺的影响(使用三氟化甲基),并开发了用于研究等离子体与表面相互作用机理的反应离子束系统。
机译:不同氟基混合气体使用电感耦合等离子体干法刻蚀钛酸钡薄膜的比较分析
机译:高密度平面电感耦合BCL3 / SF6PLASMA中的Algaas和Ingap半导体选择性蚀刻GaAs和InGap半导体的研究
机译:在BCl(3)基化学中的III-V半导体的电感耦合等离子体蚀刻:第二部分:Inp,InGaas,InGaasp,Inas和allnas;应用表面科学