机译:在化学气相环境中制备的Si(100)衬底的原子表面结构
Helmholtz Zentrum Berlin, Materials for Photovoltaics, Hahn-Meitner-Platz 1, D-14109 Berlin, Germany;
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Si(100); step structure; CVD; hydrogen annealing; STM; LEED;
机译:金属有机化学气相沉积在(100)_cSrRuO_3 //(100)SrTiO_3衬底上生长的具有四方和菱形对称混合相的外延Pb(Zr,Ti)O_3薄膜的晶体结构和微观结构
机译:(100)_cSrRuO_3‖(100)上生长的(100)-/(001)取向外延Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3薄膜的晶体结构,电学性质和机械响应金属有机化学气相沉积法制备SrTiO_3衬底
机译:金属有机化学气相沉积在(100)Si衬底上生长的{100}取向Pb(Zr,Ti)O_3薄膜的晶体结构和电性能的面内取向和组成依赖性
机译:在不加热衬底的情况下通过电子回旋共振Ar等离子体化学气相沉积在Si(100)上形成Si_(1-x)Ge_x合金的薄膜中的表面反应
机译:表面处理对钨在硅(100)和多晶氮化钛表面上化学气相沉积的影响
机译:基质类型对等离子体增强化学气相沉积制备垂直石墨烯结构的影响
机译:(100)-/(001)取向的外延Pb(Mg1 / 3Nb2 / 3)O 3-PbTiO3薄膜的晶体结构,电学性质和机械响应,是在金属(100)cSrRuO3∥(100)SrTiO3衬底上生长的有机化学气相沉积
机译:衬底对金属有机化学气相沉积制备的外延pbTiO(sub 3)薄膜的结构和光学性质的影响