机译:用于在基底表面的部分上产生材料层的腔室,用于原子层和化学气相沉积,具有形成为辐射源的加热源,通过该加热源可以逐步改变基底表面上的温度
公开/公告号DE10208450A1
专利类型
公开/公告日2003-09-11
原文格式PDF
申请/专利权人 INFINEON TECHNOLOGIES AG;
申请/专利号DE2002108450
申请日2002-02-27
分类号C23C16/455;C23C16/30;C23C16/46;
国家 DE
入库时间 2022-08-21 23:42:11