机译:退火对电子束蒸发CuIn_(0.5)Ga_(0.5)Te_2薄膜的结构,光学和电学性质的影响
Department of Physics, Pamukkale University, Science and Arts Faculty, Kinikli Kampusu, 20020 Denizli, Turkey;
Department of Physics, Middle East Technical University, 06531 Ankara, Turkey;
chalcopyrite compound; X-ray diffraction; EDXA; e-beam evaporation; XPS;
机译:化学计量和退火温度对CuIn_(0.7)Ga_(0.3)Se_2和CuIn_(0.7)Ga_(0.3)Te_2薄膜性能的影响
机译:共蒸发CuIn_(0.5)Al_(0.5)Se_2薄膜的光学和结构性质
机译:通过改性活化反应蒸发生长的_x Ga_(1-x)N(0.5≤x≤0.93)薄膜的成分依赖性结构,光学和电学性质
机译:Cuin_(0.8)Ga_(0.2)SE_2薄膜的Cuin_(0.8)Ga_2的厚度依赖性结构,光学和电性能沉积
机译:原位热退火工艺对脉冲激光沉积制造CDS Cdte薄膜太阳能电池结构,光学和电性能的影响
机译:快速热退火对原子层沉积生长Zr掺杂ZnO薄膜的结构电学和光学性质的影响
机译:基于退火时间差的钛酸锶钡(Ba0.5Sr0.5TiO3)薄膜的铁电光电二极管的电学和光学特性表征及其在卫星技术上作为光传感器的发展