机译:湿化学法制备的超薄氧化物/硅和超薄氧化物/硅结构
Institute of Physics of SAS, 845 11 Bratislava, Slovak Republic;
rnISIR of Osaka University and CREST, Ibaraki, Osaka 567-0047, Japan;
rnInstitute of Physics of SAS, 845 11 Bratislava, Slovak Republic;
rnISIR of Osaka University and CREST, Ibaraki, Osaka 567-0047, Japan;
rnInstitute of Physics of SAS, 845 11 Bratislava, Slovak Republic;
rnInstitute of Physics of SAS, 845 11 Bratislava, Slovak Republic;
rnISIR of Osaka University and CREST, Ibaraki, Osaka 567-0047, Japan;
rnISIR of Osaka University and CREST, Ibaraki, Osaka 567-0047, Japan;
rnInstitute of Physics of SAS, 845 11 Bratislava, Slovak Republic;
rnISIR of Osaka University and CREST, Ibaraki, Osaka 567-0047, Japan;
rnISIR of Osaka University and CREST, Ibaraki, Osaka 567-0047, Japan;
rnInstitute of Electrical Engineering of SAS, 841 04 Bratislava, Slovak Republic;
rnFaculty of Chemical and Food Technology of SUT, 812 37 Bratislava, Slovak Republic;
silicon; very-thin oxide; passivation; ellipsometry; deep levels;
机译:氧等离子体和化学氧化制备超薄和超薄氧化物/ a-Si:H结构的界面性质
机译:研究使用化学溶液在低温下制备的非常薄的氧化物/硅结构中的深界面陷阱。
机译:快速热处理中的光子照射对通过衬底注入检测的具有超薄氧化物的MOS结构特性的影响
机译:通过快速热处理制备的超薄再氧化氮氧化物
机译:液体中激光烧蚀制备的纳米结构金属氧化物和过氧化物的合成与表征。
机译:多种钛合金湿腐蚀法制备钾结合的二氧化钛纳米结构及其光催化活性
机译:通过平行垂直动能分量和各向异性块的MOS电容器中通过非常薄栅极氧化物的电子直接隧道电流分析