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用于包括外延硅末端的超薄型氧化物上硅器件的方法及其制造的物件

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本发明涉及包括超薄型外延层的晶体管，其形成具有长度由在晶体管的栅极堆叠下的底切所确定的沟道的嵌入式结。本发明还涉及形成所述晶体管的方法和包含了所述晶体管的系统。

著录项

公开/公告号CN1543679A

专利类型发明专利
公开/公告日2004-11-03

原文格式PDF
申请/专利权人英特尔公司;
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申请/专利号CN03800523.9
发明设计人阿南德·默西;布雷恩·多伊尔;杰克·卡瓦列尔罗斯;罗伯特·周;
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申请日2003-07-03
分类号H01L29/786;H01L29/417;H01L29/45;H01L21/336;
代理机构北京东方亿思专利代理有限责任公司;
代理人肖善强;吴湘文
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2023-12-17 15:34:51

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2007-12-05

授权

授权
2005-01-05

实质审查的生效

实质审查的生效
2004-11-03

公开

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