机译:通过氨化沉积在Si(111)衬底上的Ga_2O_3 / Cr薄膜来合成和表征GaN纳米线
College of Physics & Electronics, Shandong Normal University, Jinan 250014, PR China;
rnCollege of Physics & Electronics, Shandong Normal University, Jinan 250014, PR China;
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GaN nanowires; magnetron sputtering; microstructure; growth mechanism;
机译:通过氨化沉积在Si(111)衬底上的Ga_2O_3 / Co薄膜合成大规模GaN纳米线
机译:通过氨化沉积在Si(111)衬底上的MgO层上的Ga_2O_3膜来制备针状GaN纳米线
机译:通过氨化沉积在Si(111)衬底上的Ga2O3 / Co薄膜合成大规模GaN纳米线
机译:沉积在含有非常薄的Al层的Si(111)衬底上的AlN和GaN薄膜的生长和表征
机译:钛酸钡固溶体薄膜沉积在铜基板上的合成及性能。
机译:在3C-SiC(111)/ Si(111)基板上进行ZnO(002)薄膜的RF溅射退火后处理和表征
机译:6H-SiC(0001)和Si(111)衬底上GaN和Algan合金薄膜的pendeo-Xizaial生长和表征。
机译:(0001)和(0112)蓝宝石衬底上GaN薄膜物理性质的比较