机译:3C-SiC纳米结构表面钝化过程中氧的从头算模型
Instituto Politecnico National, ESME-Culhuacan, Av. Santa Ana 1000, 04430, D.F., Mexico;
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silicon carbide; nanowires; density functional theory; porous semiconductors;
机译:3C-SiC(111)和6H-SiC(0001)表面的(2根3 x 2根3)R30度重构的结构模型
机译:原子和分子氧在3C-SiC(111)和(111)表面上的吸附:第一性原理研究
机译:表面钝化对3C-SiC纳米晶体的电子和光学性质的影响
机译:原子和分子氧在3C-SiC(111)和((111))表面上的吸附:第一性原理研究
机译:模拟和比较3C-SiC,6H-SiC和4H-SiC纳米线的性能。
机译:使用3C-SiC-on-SiC种子堆叠在块状(100)3C-SiC气相生长过程中的局限性
机译:表面纳米结构f-siC和多孔siC的钝化
机译:在图案化的4H / 6H-siC台面和悬臂上的3C-siC层的自由表面异质外延