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机译:片上后端结构的AB-initio电动力学建模
公开/公告号GB0113039D0
专利类型
公开/公告日2001-07-18
原文格式PDF
申请/专利权人 INTERUNIVERSITAIR MICRO-ELEKTRONICA;
申请/专利号GB20010013039
发明设计人
申请日2001-05-30
分类号
国家 GB
入库时间 2022-08-22 01:06:08
机译: 对衬底上的芯片上共面传输线结构的电容进行建模的系统和方法
机译: 用于建模和分析片上互连结构的计算机辅助设计方法和装置