机译:垂直入射Si离子注入在Ge(100)表面形成坑
Saha Institute of Nuclear Physics, Sector-1, Block-AF, Bidhan Nagar, Kolkata 700 064, India;
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Si ion implantation; Ge; morphology; pit formation; simulation;
机译:绝缘体上薄硅离子注入(100)取向硅表面上外延生长的平坦表面的形成技术
机译:初始入射角为法向的硅离子注入使最初〈100〉织构化多晶硅膜的低温晶粒生长
机译:Si(001)表面非正常Fe注入后近表面硅化物的形成
机译:金属微粒在水中Ge(100)表面上引起的金字塔形腐蚀坑的形成
机译:离子注入用于抑制点腐蚀的应用:铝的钨束注入和304L不锈钢的氮等离子体离子注入。
机译:通过分子束外延在Si(100)表面形成Ge-Sn纳米点
机译:通过高剂量Ge离子注入在Si <100>晶体中形成掩埋外延Si-Ge合金层
机译:通过高剂量Ge离子注入在si&lt; 100&gt;晶体中形成掩埋的外延si-Ge合金层