机译:射频溅射ZnO薄膜中阳离子-阳离子(Al-Sn)和阳离子-阴离子(Al-F)共掺杂的比较研究
Indian Assoc Cultivat Sci, Dept Solid State Phys, Kolkata 700032, India;
Indian Assoc Cultivat Sci, Dept Solid State Phys, Kolkata 700032, India;
AZO film; Al-Sn; Al-F; Co-doping; Carrier relaxation time; Resistivity;
机译:射频磁控溅射制备Al-F共掺杂ZnO薄膜的结构,电学和光学性质研究
机译:通过Al-Sn共同掺杂,从硝酸盐化学获得的喷雾热解ZnO薄膜的光学和电性能的增强
机译:关于“研究Al-Sn共掺杂ZnO薄膜的结构,光学和电子性能的研究”的撤回通知[应用表面科学(2013)870-877]
机译:铟和镓共掺杂对RF溅射ZnO薄膜性能的协同作用
机译:使用不平衡磁控溅射制造适用于薄膜晶体管的掺镓ZNO薄膜。
机译:射频磁控溅射制备(MgAl)共掺杂ZnO薄膜的光电性能研究与研究
机译:阳离子阳离子(Al-Sn)和阳离子 - 阴离子(Al-F)共掺杂的比较研究RF溅射ZnO薄膜:机械洞察力