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机译:表面改性的Si:GaN层上的大面积紫外光电探测器
Crystal Growth Centre, Anna University;
College of Physics and Microelectronics, Hunan University;
CENCON, Hindustan Institute of Technology and Science;
Crystal Growth Centre, Anna University;
Crystal Growth Centre, Anna University,Manonmaniam Sundaranar University;
Crystal Growth Centre, Anna University;
UV photodetector; Heterostructure; Si-GaN; ZnO; Thin film;
机译:在单晶GaN外延层上制造的高量子效率金属-半导体-金属紫外光电探测器
机译:可附着的冷冻延迟表面,用于在低温空气中使用GaN光电探测器进行紫外线传感
机译:具有薄P-GaN接触层的高深紫外量子效率GaN P-I-N光电探测器
机译:p-GaN层掺杂对GaN基p-i-n紫外光电探测器的光响应的影响
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:基于ZnO纳米棒种子层效应和金属氧化物改性层效应的紫外光电探测器
机译:通过激光辅助金属有机化学气相沉积来快速生长紫外线光电探测器应用