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张南红; 王晓亮; 王军喜; 刘宏新; 肖红领; 曾一平; 李晋闽;
中国电子学会;
分子束外延; 氮化镓; Si衬底; 紫外探测器;
机译:NH3-GSMBE在具有AlGaN / AlN缓冲层的Si(111)衬底上GaN的生长和性能
机译:GaN基MSM光伏紫外探测器结构建模与仿真
机译:具有温度梯度AlN缓冲层生长的Si衬底上无裂纹GaN沉积以及过长的InGaN / GaN量子阱的发射特性
机译:MBE生长的GaN基MSM结构紫外探测器瞬态特性的PSPICE模拟
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:Algan / GaN在没有GaN缓冲层的SIC器件上:电气和噪声特性
机译:金刚石MSM紫外探测器光谱响应的仿真分析
机译:基于电子回旋共振分子束外延生长的GaN薄膜的光电导紫外探测器
机译:在Si(111)/(001)SOI衬底或Si(001)/(111)SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si(111)上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块)/(001)由此制造的SOI基板
机译:具有GaN层的Si器件衬底上的GaN包括10nm以下的SiNx中间层,可促进晶体生长并减少螺纹位错
机译:用于在多SIM多备用(MSMS)模式下操作的无线通信设备中的多个SIMS上维护服务的系统和方法
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