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Cathodoluminescene Studies on Copper Implanted CdTe Crystals using Scanning Electron Microscope

机译:利用扫描电子显微镜对铜植入的CdTe晶体进行阴极发光研究

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摘要

Cathodoluminesence of single crystal CdTe implanted with 50 KeV copper ions has been studied by scanning electron microscope. High resolution scanning electron microscope cathodoluminescence spectral analysis of the picture revealed the inhomogeneous distribution of Cu impurities into the crystal. Some black dots in cu implanted CdTe have been related to Cu complexes due to supersaturation of Cu ions of doses 1×10~15-2×10~15 cm~2 into CdTe crystal. It was observed that the cathodoluminescence intensity is much increased in copper implanted sample than reference sample.
机译:通过扫描电子显微镜研究了注入50KeV铜离子的CdTe单晶的阴极发光性能。图片的高分辨率扫描电子显微镜阴极发光光谱分析表明,铜杂质不均匀地分布到晶体中。由于剂量为1×10〜15-2×10〜15 cm〜2的Cu离子过饱和到CdTe晶体中,Cu注入的CdTe中的一些黑点与Cu络合物有关。观察到,铜注入样品中的阴极发光强度比参考样品大得多。

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