机译:In_(0.4)Ga_(0.6)As / GaAs异质覆盖层覆盖的1.3μm室温发射InAs量子点的光学特性
Laboratoire de Physique des Semiconducteurs et des Composants Electroniques Faculte des Sciences, 5019 Monastir, Tunisia;
multilayers; quantum dots; quantum dots;
机译:生长和退火温度对In_(0.6)Al_(0.4)As / Al_(0.4)Ga_(0.6)As量子点结构和光学性质的影响
机译:通过使用MBE和MEE覆盖In_(0.3)Ga_(0.7)As减应力层的InAs / GaAs量子点的光学特性的温度依赖性
机译:对称和不对称In_(0.2)Ga_(0.8)As阱对通过迁移增强分子束外延生长的InAs量子点的结构和光学性质的影响,以用于1.3μm激光二极管
机译:IN_(0.6)GA_(0.4)AS / GAAS量子点红外光电探测器,工作温度高达260K
机译:InAs / GaAs量子点太阳能电池和InAs纳米线在光伏器件中的应用的光学和机械研究。
机译:通过InAlAs中间层改变GaAsSb封盖的InAs量子点的光学性质
机译:MBE在单个和堆叠层中发射13μm的INAS / GaAs量子点的生长优化和光谱